亚博真人游戏II-VI融合加速了对碳化硅底物和外延晶圆制造的投资,在宾夕法尼亚州和瑞典大规模的工厂扩建

2022年3月7日

  • 详细信息在未来十年
  • 到2027
  • 宾夕法尼亚州和瑞典地点将显着扩大150毫米和200毫米SIC外延晶片能力
亚博真人游戏官方app下载II-VI Incorporated(NASDAQ:IIVI)是宽带gap半导体的领导者,今天宣布,它正在加速其在150毫米和200毫米硅碳化物(SIC)底物(SIC)底物和外部运动晶圆制造中的投资,宾夕法尼亚州和瑞典的基斯塔。这是该公司先前宣布的未来10年对SIC投资10亿美元投资的一部分。
通过采用SIC(一种宽带型材料),脱碳能量消耗的全球紧迫性正在加速“一切电气化”,并推动电力电子技术的海洋变化,这是一种宽带型材料,它比基于硅的宽带材料可以更有效,紧凑的电力电子子系统。为了满足全球对SIC电力电子产品的加速需求,II-VI将大大建立其在Easton的近300,000平方英尺的工厂,以扩大其最先进的150毫米和200毫米SIC底物的生产晶片。Easton的150毫米和200毫米SIC底物的产量预计到2027年每年达到150毫米底物的相当于100万毫米的底物,随着时间的推移,200 mM底物的比例为200 mM。吉斯塔的外延晶片能力的扩展旨在为欧洲市场服务。
“我们的客户正在加快他们的计划,以与我们期望的电动汽车中预期的对SIC电力电子产品的潮汐浪潮相交,我们期望这将紧接在当前的工业,可再生能源,数据中心等的当前采用周期之后。”新企业和宽带电子技术副总裁。“The Easton factory will increase II-VI’s production of SiC substrates by at least a factor of six over the next five years, and it will also become II-VI’s flagship manufacturing center for 200 mm SiC epitaxial wafers, one of the largest in the world.”
II-VI将利用其在Kista开发的行业领先的外延晶圆技术。该技术的区别是它可以在单个或多个再生步骤中实现较厚的层结构的能力,这非常适合1千万以上的应用中的电源设备。
Easton工厂将由基于燃料电池技术的不间断和可扩展的微电网提供动力,以提供高度保证。
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